সিলিকন স্ফটিক প্রক্রিয়া পরিস্রাবণ বলতে সিলিকন স্ফটিক প্রক্রিয়ায় পরিস্রাবণ প্রযুক্তির ব্যবহারকে বোঝায় যাতে অমেধ্য এবং অপরিষ্কার কণা অপসারণ করা যায়, যার ফলে সিলিকন স্ফটিকের বিশুদ্ধতা এবং গুণমান উন্নত হয়। সিলিকন স্ফটিক প্রক্রিয়ায় সাধারণত ব্যবহৃত পরিস্রাবণ পদ্ধতিগুলির মধ্যে রয়েছে:
1.ভ্যাকুয়াম পরিস্রাবণ:সিলিকন স্ফটিকগুলিকে একটি ভ্যাকুয়ামে ডুবিয়ে রাখুন এবং তরল থেকে অমেধ্য ফিল্টার করার জন্য ভ্যাকুয়াম সাকশন ব্যবহার করুন। এই পদ্ধতিটি কার্যকরভাবে বেশিরভাগ অমেধ্য এবং কণা অপসারণ করতে পারে, কিন্তু ছোট কণা সম্পূর্ণরূপে অপসারণ করতে পারে না।
2. যান্ত্রিক পরিস্রাবণ:ফিল্টার পেপার, ফিল্টার স্ক্রিন ইত্যাদির মতো ফিল্টার মিডিয়াতে সিলিকন স্ফটিক ডুবিয়ে, ফিল্টার মিডিয়ার মাইক্রোপোর আকার ব্যবহার করে অমেধ্য এবং কণা ফিল্টার করা হয়। এই পদ্ধতিটি বৃহৎ কণার অমেধ্য ফিল্টার করার জন্য উপযুক্ত।
৩. কেন্দ্রাতিগ পরিস্রাবণ:একটি সেন্ট্রিফিউজ ঘোরানোর মাধ্যমে, তরল পদার্থের অমেধ্য এবং কণাগুলি সেন্ট্রিফিউজ নলের নীচে কেন্দ্রাতিগ বল ব্যবহার করে অবক্ষেপিত হয়, যার ফলে পরিস্রাবণ সম্ভব হয়। এই পদ্ধতিটি সাসপেনশনে থাকা ছোট কণা এবং কণা অপসারণের জন্য উপযুক্ত।
৪. চাপ পরিস্রাবণ:ফিল্টারিং মাধ্যমের মধ্য দিয়ে তরল প্রবাহের জন্য চাপ ব্যবহার করা হয়, যার ফলে অমেধ্য এবং কণা ফিল্টার করা হয়। এই পদ্ধতিটি দ্রুত প্রচুর পরিমাণে তরল ফিল্টার করতে পারে এবং কণার আকারের উপর কিছু সীমাবদ্ধতা রয়েছে।
সিলিকন স্ফটিক পরিস্রাবণের গুরুত্ব সিলিকন স্ফটিকের বিশুদ্ধতা এবং গুণমান উন্নত করার মধ্যে নিহিত, যা উচ্চ-মানের সেমিকন্ডাক্টর ডিভাইস তৈরির জন্য অত্যন্ত গুরুত্বপূর্ণ। কার্যকরভাবে ফিল্টারিংয়ের মাধ্যমে, সিলিকন স্ফটিকগুলিতে অপরিষ্কারতার পরিমাণ হ্রাস করা যেতে পারে, ত্রুটিগুলি হ্রাস করা যেতে পারে, স্ফটিক বৃদ্ধির অভিন্নতা এবং স্ফটিক কাঠামোর অখণ্ডতা উন্নত করা যেতে পারে, যার ফলে সেমিকন্ডাক্টর ডিভাইসগুলির কর্মক্ষমতা এবং নির্ভরযোগ্যতা উন্নত হয়।
সিলিকন স্ফটিক বলতে এমন একটি উপাদানকে বোঝায় যার স্ফটিক গঠন সিলিকন পরমাণু দ্বারা গঠিত এবং এটি একটি গুরুত্বপূর্ণ অর্ধপরিবাহী উপাদান। সিলিকন স্ফটিকগুলির চমৎকার বৈদ্যুতিক এবং তাপীয় বৈশিষ্ট্য রয়েছে এবং এটি অপটোইলেক্ট্রনিক ডিভাইস, অর্ধপরিবাহী ডিভাইস, সৌর প্যানেল, ইন্টিগ্রেটেড সার্কিট এবং অন্যান্য পণ্যগুলিতে ব্যাপকভাবে ব্যবহৃত হয়।
পোস্টের সময়: জুন-২৪-২০২৪