Սիլիցիումի բյուրեղային գործընթացի ֆիլտրումը վերաբերում է սիլիցիումի բյուրեղների գործընթացում ֆիլտրման տեխնոլոգիայի օգտագործմանը կեղտերը և կեղտոտ մասնիկները հեռացնելու համար, դրանով իսկ բարելավելով սիլիցիումի բյուրեղների մաքրությունը և որակը: Սիլիցիումի բյուրեղային գործընթացում սովորաբար օգտագործվող ֆիլտրման մեթոդները ներառում են հետևյալը.
1.Վակուումային զտում.Սիլիցիումի բյուրեղները ընկղմեք վակուումի մեջ և օգտագործեք վակուումային ներծծում՝ հեղուկից կեղտերը զտելու համար: Այս մեթոդը կարող է արդյունավետորեն հեռացնել կեղտերի և մասնիկների մեծ մասը, բայց չի կարող ամբողջությամբ հեռացնել փոքր մասնիկները:
2. Մեխանիկական Զտիչ:Սիլիցիումի բյուրեղները ընկղմելով զտիչ միջավայրի մեջ, ինչպիսիք են ֆիլտրի թուղթը, ֆիլտրի էկրանը և այլն, կեղտերն ու մասնիկները զտվում են՝ օգտագործելով ֆիլտրի միջավայրի միկրոծակերի չափը: Այս մեթոդը հարմար է խոշոր մասնիկների կեղտերը զտելու համար:
3. Կենտրոնախույս Զտիչ:Պտտելով ցենտրիֆուգը, հեղուկի կեղտերն ու մասնիկները նստեցվում են դեպի ցենտրիֆուգային խողովակի հատակը՝ օգտագործելով կենտրոնախույս ուժ՝ դրանով իսկ հասնելով զտման: Այս մեթոդը հարմար է կախոցներում փոքր մասնիկները և մասնիկները հեռացնելու համար:
4. Ճնշման Զտում:Օգտագործելով ճնշում՝ հեղուկը ֆիլտրող միջավայրով անցնելու համար՝ դրանով իսկ զտելով կեղտերն ու մասնիկները: Այս մեթոդը կարող է արագ զտել մեծ քանակությամբ հեղուկ և ունի մասնիկների չափի որոշակի սահմանափակումներ:
Սիլիցիումի բյուրեղային ֆիլտրման կարևորությունը կայանում է նրանում, որ բարելավվի սիլիցիումի բյուրեղների մաքրությունը և որակը, ինչը կարևոր է բարձրորակ կիսահաղորդչային սարքերի արտադրության համար: Արդյունավետ զտելով՝ սիլիցիումի բյուրեղներում կեղտի պարունակությունը կարող է կրճատվել, թերությունները կարող են կրճատվել, բյուրեղների աճի միատեսակությունը և բյուրեղային կառուցվածքի ամբողջականությունը կարող են բարելավվել՝ դրանով իսկ բարելավելով կիսահաղորդչային սարքերի աշխատանքը և հուսալիությունը։
Սիլիցիումի բյուրեղը վերաբերում է նյութին, որի բյուրեղային կառուցվածքը կազմված է սիլիցիումի ատոմներից և կարևոր կիսահաղորդչային նյութ է: Սիլիցիումի բյուրեղներն ունեն հիանալի էլեկտրական և ջերմային հատկություններ և լայնորեն օգտագործվում են օպտոէլեկտրոնային սարքերում, կիսահաղորդչային սարքերում, արևային մարտկոցներում, ինտեգրալ սխեմաներում և այլ արտադրանքներում:
Հրապարակման ժամանակը՝ հունիս-24-2024